IRFR2405TRLPBF vs IRFR220NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR2405TRLPBF por Infineon e IRFR220NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR2405TRLPBF IRFR220NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,74
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) -55C to +150C (junction)
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant Yes, lead-free (PBF suffix)
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Encapsulamento / Caixa — TO-252AA (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação