IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR3710ZTRPBF por Infineon y IRLR3410TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR3710ZTRPBF IRLR3410TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,81
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Nivel MSL — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

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