IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3710ZTRPBF par Infineon et IRLR3410TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3710ZTRPBF IRLR3410TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,81
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Niveau MSL — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Fiches techniques et ressources

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