IRFR3806TRPBF vs IRFR1018ETRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR3806TRPBF por Infineon y IRFR1018ETRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR3806TRPBF IRFR1018ETRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $0,36
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 46 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Encapsulado / Carcasa TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) Yes
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
Encapsulado — TO-252AA (D-Pak)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — 1

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