IRFR3806TRPBF vs IRFR1018ETRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3806TRPBF par Infineon et IRFR1018ETRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3806TRPBF IRFR1018ETRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,36
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 46 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Boîtier / Format TO-252AA (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) Yes
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
Boîtier — TO-252AA (D-Pak)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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