IRFR4615TRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRFR4615TRLPBF por Infineon y IRLR3110ZTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRFR4615TRLPBF | IRLR3110ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,39 | $0,66 |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | HEXFET / Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | 15 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | 140 W |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +175C | — |
| Encapsulado | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| Energía de avalancha de pulso único | 109 mJ | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 14 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55C to +175C |
| Nivel MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free Plating | — | Yes (PBF suffix) |
| Sin halógenos | — | Yes |