IRFR4615TRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR4615TRLPBF par Infineon et IRLR3110ZTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR4615TRLPBF | IRLR3110ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,39 | $0,66 |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | HEXFET / Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | 15 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | 140 W |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | 109 mJ | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 14 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Niveau MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free Plating | — | Yes (PBF suffix) |
| Sans halogène | — | Yes |