IRFR4615TRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFR4615TRLPBF 제조: Infineon 및 IRLR3110ZTRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFR4615TRLPBF | IRLR3110ZTRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.39 | $0.66 |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | HEXFET / Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | 15 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | 140 W |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | — |
| 패키지 | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| 단일 펄스 애벌런치 에너지 | 109 mJ | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 14 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +175C |
| MSL 레벨 | — | 1 (Unlimited) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free Plating | — | Yes (PBF suffix) |
| 할로겐 프리 | — | Yes |