IRFR5410TRRPBF vs IPD50P04P4L11ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR5410TRRPBF por Infineon y IPD50P04P4L11ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF ✓ Activo
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IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR5410TRRPBF IPD50P04P4L11ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,82
Polarity P-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Technology HEXFET (5th Generation) —
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ —
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C -55 °C to +175 °C
Encapsulado TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
Recuento de pines — 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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