IRFR5505TRPBF vs IRLR9343TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR5505TRPBF por Infineon y IRLR9343TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR9343TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR9343TRPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR5505TRPBF IRLR9343TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,47
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
Polarity P-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) IR HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm 105 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC 31 nC (typical)
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Part Number — IRLR9343TRPBF
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -20 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 79 W
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range]
Nivel MSL — 1
Optimized Application — Class-D audio amplifier output stages

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