IRFZ48NPBF vs IRLB8748PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ48NPBF por Infineon y IRLB8748PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ48NPBF IRLB8748PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,68
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 15 nC typical
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced planar) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Qualification Standard Industrial market JEDEC (Industrial market per datasheet)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 92 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction)
Package Type — TO-220AB through-hole
Technology Family — StrongIRFET / HEXFET
Channel Type — N-Channel
Logic-Level Gate Drive — Yes (optimized for 5V VGS)

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