IRFZ48NPBF vs IRLB8748PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFZ48NPBF от Infineon и IRLB8748PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF ✓ Активен
Infineon
IRLB8748PBF IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFZ48NPBF IRLB8748PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,68
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 15 nC typical
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус TO-220AB (through-hole) —
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced planar) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Qualification Standard Industrial market JEDEC (Industrial market per datasheet)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 92 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C (junction)
Package Type — TO-220AB through-hole
Technology Family — StrongIRFET / HEXFET
Channel Type — N-Channel
Logic-Level Gate Drive — Yes (optimized for 5V VGS)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену