IRL3705NPBF vs IRFB7534PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRL3705NPBF por Infineon y IRFB7534PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRL3705NPBF IRFB7534PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $1,85
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
Corriente de drenador pulsada [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Encapsulado TO-220AB (3-pin through-hole) TO-220AB
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Estado RoHS Compliant (per PBF suffix) Compliant (PbF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7534PBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 195 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 294 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.7 V (typ)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rated — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Nivel MSL — MSL1 (unlimited floor life)

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