IRL540NSTRLPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRL540NSTRLPBF por Infineon y IRLR3410TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRL540NSTRLPBF IRLR3410TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $0,65
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Estado RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Technology — HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

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