IRL540NSTRLPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRL540NSTRLPBF par Infineon et IRLR3410TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRL540NSTRLPBF IRLR3410TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,65
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Statut RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Technology — HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

Fiches techniques et ressources

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