IRLML2060TRPBF vs IRFML8244TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLML2060TRPBF por Infineon y IRFML8244TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLML2060TRPBF IRFML8244TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,13 $0,15
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado SOT-23 (Micro3, 3-pin) SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) IR MOSFET (HEXFET)
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free, halogen-free)
Sin halógenos Yes —
Nivel MSL MSL1 MSL1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 5.8 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 24 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 5.4 nC
Power Dissipation (PD) max — 1.25 W (Ta)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C (junction)
Pin Configuration — Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S)
Qualification — Consumer grade

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