IRLML2060TRPBF vs IRFML8244TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML2060TRPBF por Infineon e IRFML8244TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML2060TRPBF IRFML8244TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,15
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento SOT-23 (Micro3, 3-pin) SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) IR MOSFET (HEXFET)
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free, halogen-free)
Livre de halogênio Yes —
Nível MSL MSL1 MSL1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 5.8 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 24 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 5.4 nC
Power Dissipation (PD) max — 1.25 W (Ta)
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (junction)
Pin Configuration — Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S)
Qualification — Consumer grade

Fichas técnicas e recursos

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