IRLML6346TRPBF vs IRLML2030TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLML6346TRPBF por Infineon y IRLML2030TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLML6346TRPBF IRLML2030TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,18 $0,14
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado Micro3 / SOT-23 Micro3 (SOT-23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Nivel MSL 1 MSL 1
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2030TRPBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 154 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (lead-free, halogen-free)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

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