IRLML6346TRPBF vs IRLML2030TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6346TRPBF par Infineon et IRLML2030TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML6346TRPBF IRLML2030TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,14
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier Micro3 / SOT-23 Micro3 (SOT-23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Niveau MSL 1 MSL 1
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2030TRPBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 154 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (lead-free, halogen-free)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

Fiches techniques et ressources

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