IRLR120NTRPBF vs IRFR220NTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR120NTRPBF por Infineon y IRFR220NTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR120NTRPBF IRFR220NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,27 $0,22
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 15 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Nivel MSL 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Estado RoHS — Compliant (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

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