IRLR120NTRPBF vs IRLB4030PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR120NTRPBF por Infineon y IRLB4030PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR120NTRPBF IRLB4030PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,27 $3,10
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) HEXFET (StrongIRFET family)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 87 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Encapsulado TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount TO-220AB
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Nivel MSL 1 —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC
Estado RoHS — Compliant

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