IRLR120NTRPBF vs IRLB4030PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR120NTRPBF por Infineon e IRLB4030PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR120NTRPBF IRLB4030PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,27 $3,10
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) HEXFET (StrongIRFET family)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 87 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount TO-220AB
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Nível MSL 1 —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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