IRLR2705TRLPBF vs IRLR2905TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR2705TRLPBF por Infineon y IRLR2905TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR2705TRLPBF IRLR2905TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $0,61
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 28 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 40 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 68 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Technology IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Configuration Single N-Channel —
Nivel MSL 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Drive — Logic-level compatible

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