IRLR2705TRLPBF vs IRLR2905TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR2705TRLPBF por Infineon e IRLR2905TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR2705TRLPBF IRLR2905TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,61
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 28 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 40 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 68 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Technology IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Configuration Single N-Channel —
Nível MSL 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Drive — Logic-level compatible

Fichas técnicas e recursos

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