IRLR2705TRPBF vs IRLR2905TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR2705TRPBF por Infineon y IRLR2905TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR2705TRPBF IRLR2905TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,36 $0,61
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A 42 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Avalanche Rated Yes Yes
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) Yes / Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Gate Drive — Logic-level compatible

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