IRLR2705TRPBF vs IRLR2905TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR2705TRPBF par Infineon et IRLR2905TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR2705TRPBF IRLR2905TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $0,61
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A 42 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Avalanche Rated Yes Yes
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) Yes / Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Gate Drive — Logic-level compatible

Fiches techniques et ressources

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