IRLR3110ZTRPBF vs IRFR4615TRLPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRLR3110ZTRPBF por Infineon y IRFR4615TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRLR3110ZTRPBF | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,66 | $0,39 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 14 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | 26 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | 144 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55C to +175C | — |
| Encapsulado | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET / Trench MOSFET | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| Nivel MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free Plating | Yes (PBF suffix) | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Energía de avalancha de pulso único | — | 109 mJ |