IRLR3410TRLPBF vs IRLR3410TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3410TRLPBF por Infineon y IRLR3410TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
Nivel MSL 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

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