IRLR3410TRLPBF vs IRLR3410TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3410TRLPBF por Infineon e IRLR3410TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
Nível MSL 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Fichas técnicas e recursos

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