IRLR3410TRLPBF vs IRLR3410TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRLPBF par Infineon et IRLR3410TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
Niveau MSL 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Fiches techniques et ressources

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