IRLR3410TRPBF vs IRLR2705TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3410TRPBF por Infineon y IRLR2705TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3410TRPBF IRLR2705TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,81 $0,32
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR MOSFET (HEXFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Nivel MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 28 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 40 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 68 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Configuration — Single N-Channel

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