IRLR3410TRPBF vs IRLR2705TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRPBF par Infineon et IRLR2705TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3410TRPBF IRLR2705TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $0,32
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR MOSFET (HEXFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Niveau MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Type de transistor — N-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 28 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 40 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 68 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Configuration — Single N-Channel

Fiches techniques et ressources

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