IRLR7843TRPBF vs IRLR2905TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR7843TRPBF por Infineon y IRLR2905TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR7843TRPBF IRLR2905TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,61
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) Yes / Compliant
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive — Logic-level compatible

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