IRLR7843TRPBF vs IRLR2905TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR7843TRPBF par Infineon et IRLR2905TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR7843TRPBF IRLR2905TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,61
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) Yes / Compliant
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive — Logic-level compatible

Fiches techniques et ressources

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