IRLZ34NSTRLPBF vs IRFS4010TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLZ34NSTRLPBF por Infineon y IRFS4010TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLZ34NSTRLPBF IRFS4010TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,86
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 143 nC
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Encapsulado D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB), surface mount
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 180 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — Plus or minus 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 375 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Gate Drive Voltage — 10 V (normal level, optimized)
Nivel MSL — 1

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