IRLZ34NSTRLPBF vs IRFS4010TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLZ34NSTRLPBF par Infineon et IRFS4010TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLZ34NSTRLPBF IRFS4010TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,86
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 143 nC
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Boîtier D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB), surface mount
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 180 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — Plus or minus 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 375 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Gate Drive Voltage — 10 V (normal level, optimized)
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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