IRS2004STRPBF vs IRS2104STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2004STRPBF por Infineon y IRS2104STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2004STRPBF IRS2104STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,45
Topología Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Channels 1 high-side + 1 low-side (dependent) —
Offset Voltage (Voffset max) 200 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 3.3 V to 20 V (logic compatible) —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Shutdown Input Yes (active) —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Operation Yes (external diode required) —
Encapsulado SOIC-8 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PbF suffix)
Nivel MSL MSL2 2 (1 year floor life per datasheet)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Temperatura de unión de funcionamiento — -40C to +150C
Qualification Level — Industrial

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