IRS2004STRPBF vs IRS2104STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2004STRPBF par Infineon et IRS2104STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2004STRPBF IRS2104STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,45
Topologie Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Channels 1 high-side + 1 low-side (dependent) —
Offset Voltage (Voffset max) 200 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 3.3 V to 20 V (logic compatible) —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Shutdown Input Yes (active) —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Operation Yes (external diode required) —
Boîtier SOIC-8 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PbF suffix)
Niveau MSL MSL2 2 (1 year floor life per datasheet)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Température de jonction en fonctionnement — -40C to +150C
Qualification Level — Industrial

Fiches techniques et ressources

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