ISC011N03L5SATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISC011N03L5SATMA1 por Infineon y BSZ018NE2LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | ISC011N03L5SATMA1 | BSZ018NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,47 | $0,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 69 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |