ISC011N03L5SATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N03L5SATMA1 par Infineon et BSZ018NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC011N03L5SATMA1 | BSZ018NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,47 | $0,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 69 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |