ISC011N03L5SATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 比較
詳細な並列比較: ISC011N03L5SATMA1 メーカー: Infineon および BSZ018NE2LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | ISC011N03L5SATMA1 | BSZ018NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.47 | $0.31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 69 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |