ISC011N06LM5ATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC011N06LM5ATMA1 por Infineon y BSC0911NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC011N06LM5ATMA1 BSC0911NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS trench MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Encapsulado PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

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