ISC011N06LM5ATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC011N06LM5ATMA1 por Infineon e BSC0911NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC011N06LM5ATMA1 BSC0911NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS trench MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Encapsulamento PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

Fichas técnicas e recursos

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