ISC011N06LM5ATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon et BSC0911NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N06LM5ATMA1 BSC0911NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS trench MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Boîtier PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

Fiches techniques et ressources

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