ISC017N04NM5ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC017N04NM5ATMA1 por Infineon y ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC017N04NM5ATMA1 ISC017N04NM5ATMA1 - 40V 1.7mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

ISC017N04NM5ATMA1 - 40V 1.7mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

ISC017N04NM5ATMA1 ✓ Activo
Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC017N04NM5ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 193 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 1.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.4 V —
Gate Charge Qg at VGS=10V 67 nC —
Input Capacitance Ciss at VDS=20V 4800 pF —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

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