ISC017N04NM5ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC017N04NM5ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC017N04NM5ATMA1 ISC017N04NM5ATMA1 - 40V 1.7mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

ISC017N04NM5ATMA1 - 40V 1.7mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

ISC017N04NM5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC017N04NM5ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 193 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 1.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.4 V —
Gate Charge Qg at VGS=10V 67 nC —
Input Capacitance Ciss at VDS=20V 4800 pF —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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