ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC024N08NM7ATMA1 por Infineon y ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC024N08NM7ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 24 A 19.2 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc 167 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 150 W —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8 (SSO8) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] —
Total Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Encapsulado — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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