ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC024N08NM7ATMA1 par Infineon et ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC024N08NM7ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 24 A 19.2 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc 167 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 150 W —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier / Format PG-TDSON-8 (SSO8) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] —
Total Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Boîtier — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fiches techniques et ressources

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