ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC024N08NM7ATMA1 por Infineon e ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC024N08NM7ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,02 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 24 A 19.2 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc 167 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 150 W —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8 (SSO8) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] —
Total Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Encapsulamento — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fichas técnicas e recursos

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