ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISC030N12NM6ATMA1 por Infineon y ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | ISC030N12NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,62 | $0,78 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 194 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 3.4 mOhm @ VGS=10 V | 15.1 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.0 mOhm @ VGS=10 V | — |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | 250 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Encapsulado | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -55 C to +175 C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full RDS(on)) | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| Packaging (suffix) | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Corriente de drenador continua (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Número de pines | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Estado RoHS | — | Compliant |